Speaker
蒋, 伟
(高能物理研究所)
Description
硅探测器广泛用于带电粒子的检测。在中国散裂中子源反角白光中子束线开展的（n，lcp）反应截面测量中，PIN硅探测器发挥了重要作用。然而，由于耐辐射性能差，硅探测器无法在高温和强辐射环境中工作。基于碳化硅、金刚石等第三代宽禁带半导体材料，抗辐射宽禁带半导体探测器比第一代半导体具有更高的载流子迁移率、更宽的带隙和更高的位移阈值能量。碳化硅和金刚石探测器已在CSNS制备和测试。本工作研究了探测器的性能，包括电性能、能量分辨率、抗辐射性和偏振效应。碳化硅探测器已经应用在6Li(n，t)和63Ni(n，α)60Fe的截面测量。金刚石探测器也已经应用于12C(n，α)9Be 反应的研究。
Primary author
蒋, 伟
(高能物理研究所)
