Speaker
Zaiyi Li
(IHEP)
Description
4H-碳化硅因其具有宽禁带、高载流子饱和漂移速度、高击穿电场、高热导率、高原子位移阈能，在高能物理领域具有应用潜力。本研究使用南京大学流片的PIN器件进行了质子辐照，并通过电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）测试，深能级瞬态谱（DLTS）和少数载流子寿命测试（TRPL）作为缺陷表征。测试结果显示：辐照后器件的反向漏电流降低，并失去典型PN结的C-V特性；辐照后主要产生的缺陷类型为$EH_3$，并伴随载流子寿命降低。利用实验数据建立仿真模型（DLCM），并基于RASER进行$7.8\times10^{14}\ n_{eq}/cm^2$以下辐照通量的器件仿真。仿真研究结果表明：辐照后深能级缺陷的补偿效应会导致器件中掺杂浓度降低，所引起的电场分布变化是漏电流降低的主要原因。
