Speaker
森 赵
(IHEP，CAS)
Description
碳化硅（SiC）凭借其宽禁带特性和强化学键能，已被视为替代硅制造抗辐射电离粒子探测器的潜在材料。但是相同能量的粒子在碳化硅中产生的电子-空穴对数量是硅的2/3，因此SiC探测器的脉冲幅度相对较低。制备低增益的SiC探测器可以提高信噪比并具有良好的抗辐照特性，第一版4H-SiC LGAD(SICAR)其增益可达2-3倍，并对该器件进行了80 MeV 能量质子辐照（2 × 10¹¹neq/cm2 ~ 1 × 10¹⁴ neq/cm2）。
通过对辐照前后器件的电流-电压、电容-电压测试以及缺陷表征研究了辐照缺陷对辐照前后的的漏电流和电容以及电荷收集效率的影响。
