第五届半导体辐射探测器研讨会

LGAD传感器击穿电压特性研究（姚佳豪-#234）

18 Apr 2025, 18:05

10m

王朝9+10厅，2F (西安喜来登大酒店)

口头报告 青年学者论坛

Speaker

Mr 佳豪 姚 (中国科学院微电子研究所)

Description

低增益雪崩二极管传感器（LGAD）具有超高的时间分辨率和抗辐照特性，。位于欧洲的大型强子对撞机（LHC）将升级为高亮度LHC（HL-LHC）。亮度的提高会产生严重的事例堆积效应，并伴随着更强的辐射环境。基于LGAD技术的高颗粒度时间探测器（HGTD）将用于ATLAS中时间探测器的建造，以解决事例堆积问题。但是，LGAD传感器的击穿电压对于增益层离子的分布特别敏感。本文系统的研究了不同增益层工艺条件下LGAD的击穿电压特性，利用TCAD仿真工具对LGAD传感器及其制备工艺进行了仿真，分析了增益层硼离子注入能量和剂量对于LGAD的击穿电压性能的影响。