第五届半导体辐射探测器研讨会

新型硅漂移探测器SDD的重要进展和实现

19 Apr 2025, 16:50

13m

王朝大宴会厅，2F (西安喜来登大酒店)

口头报告 半导体探测材料与器件

Speaker

锐 贾 (中国科学院微电子研究所)

Description

硅漂移探测器在电子显微镜SEM、X射线荧光光谱（XRF）、同步辐射光源和粒子探测等领域有着重大的应用。我们采用创新的原理、结构和工艺，系统地构建了新型硅漂移探测器。本报告研究发现，硅漂移探测器阳极（anode）的掺杂浓度、掺杂深度对漂移电子的收集有着重要的影响。我们把硅漂移探测器的阳极的掺杂浓度从1E18/cm-3提升至1E20/cm-3，把掺杂深度从50nm提升至1000nm，可以看到在阳极收集的电子浓度，提升了5倍以上，这对于提升计数率和探测效率有着重要的意义。