Speaker
乐 张
(中国科学院大学微电子研究所)
Description
极紫外（EUV）辐射探测器在集成电路科学仪器装置、航天航空等领域有重要应用前景，目前硅基EUV探测器的研究国内尚无报导。2013年荷兰代尔夫特理工大学联合比利时国家微电子中心开发并制造了一种pure-B EUV光电探测器，具有接近理论值的响应度和超高的稳定性，然而Pure-B EUV探测器内部光生载流子产生和收集机制尚未有文献深入报导与研究。本文基于关键工艺实验测试结果，通过仿真得到了pure-B光电二极管的电学性能，包括电势/电场分布、耗尽区宽度与施加偏压的关系、暗电流、电容等，并利用减压化学气相沉积（RPCVD）技术在8英寸CMOS兼容的工艺线开发制备了pure-B光电探测器，测试结果表明在-1V下器件具有低至0.01 nA/mm2的低暗电流密度，证明在Si表面形成一种高质量且近乎无缺陷的超浅结，光学测试正在进行中。
