第五届半导体辐射探测器研讨会

4H-SiC肖特基型α粒子探测器及h-BN半导体探测器的新尝试

18 Apr 2025, 16:37

13m

王朝大宴会厅，2F (西安喜来登大酒店)

口头报告 半导体辐射探测器技术

Speaker

泽 龙 (吉林大学)

Description

本文制作了大面积、高性能、抗辐照的4H-SiC肖特基型探测器。其灵敏面积达到1 cm2，测量α粒子的最佳能量分辨率达到0.79%。探测器在无偏置电压的条件下即可对α粒子产生响应，此时的电荷收集效率(CCE)为45%。在偏置电压达到-50 V及以上时，CCE达到100%。该探测器具备抗中子辐照能力，在通量为1.33×1015 n/cm2的1 MeV等效中子辐照后CCE仅下降9.2%。
此外，本文还对基于h-BN的半导体探测器进行了尝试。使用金属助溶剂法生长了大尺寸、高质量的h-BN单晶材料，并制作了水平MSM结构的探测器。首先，该探测器能够实现优异的真空紫外(VUV)探测能力，最佳响应度达到3.35 mA/W。其次，该器件也具备高温工作能力，在室温至500 ℃的测试范围内，VUV探测的响应度略有提升。此外该器件还具有柔性的特点，在弯曲状态下的探测能力仍无退化。