Speaker
张, 莹
(中国工程物理研究院电子工程研究所)
Description
基于4H-SiC的中子探测器以其体积小巧、时间响应快、n/γ分辨高等优势受到广泛关注。但受限于探测效率低下这一瓶颈，此类探测器的应用推广受到制约。本文通过对高效率4H-SiC中子探测器的关键问题研究，明确探测器沟槽参数对中子探测效率的影响规律；掌握高深宽比SiC刻蚀技术，刻蚀深度超过50μm，深宽比＞5；掌握基于液相离心法的6LiF粉末填充技术，并最终完成SiC微结构中子探测器的样机研制。经测试，中子探测效率达到3.28%。本文阐述的研究成果能够满足大型核科学装置对高效率中子探测器的迫切需求，在航天飞行器以及核电监控等领域同样具有广阔的应用前景。
Primary author
张, 莹
(中国工程物理研究院电子工程研究所)
