Speaker
马(Ma), 阔(Kuo)
(University of Science and Technology of China)
Description
相比于传统的平面型硅探测器，三维硅探测器可以提供更高的抗辐照性能和更高的时间分辨率。在最近的二十多年里，国内外的研究团队基于不同的设计指标，提出了诸多新型的结构设计。在实际应用中，三维硅探测器已成功地用于高能物理领域，如ATLAS实验。近年来，我们团队也开始致力于新型三维硅像素探测器的研制，包括探测器的仿真设计和器件加工。通过半导体器件仿真软件Sentaurus TCAD的仿真结果，我们得到了器件内部的电场分布以及电学性能曲线等。在器件加工方面，我们已经在中国科学技术大学的微纳研究与制造中心验证了深反应离子刻蚀和热扩散掺杂的可行性。在深反应离子刻蚀时，我们采用Bosch工艺对直径为5微米的圆孔和线宽为5微米的沟槽进行加工，得到了深宽比为10:1的刻蚀结果。在热扩散掺杂时，我们分别使用硼/磷固态源片对硅片进行掺杂。通过二次离子质谱仪对硼固态源片掺杂后的样品进行表征，结果表明最大掺杂浓度高于10$^{19}$ cm$^{-3}$。
Primary author
马(Ma), 阔(Kuo)
(University of Science and Technology of China)
Co-author
刘(Liu), 衍文(Yanwen)
(USTC)
