Speaker
张, 希媛
(中国科学院高能物理研究所)
Description
随着5G通信、智能物联网、新能源汽车等产业的蓬勃发展，第三代半导体材料的研究被纳入我国关键战略发展重点专项。其中碳化硅作为一种功率器件材料已经进入井喷式发展，这对其整个产业链包括衬底、外延、加工、应用都起到了推动作用。在此背景下，宽禁带宽度，高击穿电场和原子位移能均提示其可能具有良好的抗辐照特性；其高饱和载流子漂移速度可以提升粒子探测器的响应速度；高热导率意味着其具有相对宽松的散热条件，可以在常温下稳定工作。因此，SiC高能粒子探测器具有非常大的潜在优势。同时SiC的电离能高于Si，导致其信号相对较小，设计一款SiC LGAD不仅可以通过低增益雪崩倍增放大信号，并且提升信噪比，从而为高能粒子探测器提供一种新的选择。通过仿真工具设计了不同厚度和掺杂浓度的4H-SiC LGAD器件，其时间分辨率可达35ps。开发国内生产线，全外延方式生长器件，流片加工，进一步提高其器件性能，提高信噪比。表征缺陷，并进一步研究缺陷对其性能的影响机制。
Primary author
张, 希媛
(中国科学院高能物理研究所)
