第四届半导体辐射探测器研讨会

新型SDD硅漂移X射线探测器研究

2024年5月25日 14:25

13m

Session 4 (Detector material and applications)

报告人

贾, 锐 (中国科学院微电子研究所)

说明

针对一定的漂移环，会发生从顶部到底部的串通(reach-through)现象；而串通现象会导致硅漂移探测器的漂移电压很难加上去。为了解决这个问题，深入研究和分析了硅漂移探测器SDD的输运机理；通过研究发现，如果采用特殊的双夹断结构，可以有效地提升漂移电压，进而提升X射线探测的器能量分辨率。通过器件的结构创新，把硅漂移探测器的能量分辨率提升到180eV以下，器件工作非常稳定。