Speaker
宋, 澳东
(山东大学)
Description
高压 CMOS 像素探测器基于普通 CMOS 像素探测器基础上发展而来，高压作用下带电粒子产生的信号主要通过漂移运动被收集，使得探测器具有更快的收集速度，更高的抗辐射能力。BCPS 芯片基于 SMIC 180 nm 高压工艺，芯片尺寸$5mm*5mm$，像素尺寸$50um*50um$,设计了新型的大收集极结构（$35um*35um$），面积约占像素的 50%，进一步扩大耗尽层的深度与宽度。像素收集极内集成电荷灵敏前置放大器、整形器、甄别器（动态及静态）、锁存器，分别对收集的电荷进行放大、甄别、锁存等处理。
目前对 BCPS 芯片的 diode 收集极进行了初步测试，数据表示本芯片的收集极具有良好的PN 结特性，且反向耐压可高达-50V，基于此将继续开展测试新型收集极结构的电荷收集特性和耐辐射特性。详细的设计及测试细节将在报告中说明。
