第五届半导体辐射探测器研讨会

CdTe离位阈能与辐照损伤缺陷演化研究

Not scheduled

2h 20m

陕西省西安市

Speaker

雯静 魏 (兰州大学)

Description

不同研究者对离位阈能有不同的定义与见解，一部分研究将离位阈能定义为使PKA离位并远离其晶格位置的最小能量，不论是否最终形成稳定缺陷，而另一部分研究将导致体系产生稳定并不发生自主复合的缺陷所对应的能量称为离位阈能。本文将前者定义为Threshold Displacement Energy(TDE)，后者为Threshold Vacancy Energy(TVE)，基于CdTe体系，采用分子动力学模拟计算的方法，在16×16×16的体系中，采用BOP势函数，PKA能量范围选取1-30eV，每个能量点进行500次模拟，研究不同类型PKA原子所产生的级联碰撞演化过程及相应TDE和TVE取值，研究发现，PKA能量与稳定缺陷形成概率并未形成单调递增关系，PKA能量在24~30eV范围内，出现微小波动，这可能是由于反位缺陷所引起。另外，本文还对离位阈能与原子出射方向的依赖程度进行研究。明确离位阈能取值，对今后CdTe辐照损伤缺陷研究,进一步改进材料特性具有重要意义。