第五届半导体辐射探测器研讨会

高纯锗探测器低噪声前端电子学研究

18 Apr 2025, 10:20

8h

王朝9+10厅前，2F (西安喜来登大酒店)

海报 Poster

Speaker

力 何 (清华大学)

Description

高纯锗探测器作为当前 γ 射线探测领域能量分辨率最优异的半导体探测器，在环保、核电以及国土安全领域发挥着不可替代的重要作用。为维持探测器在液氮温度下的高能量分辨率性能，其前端读出电子学需在低温工作环境中实现极低的噪声，同时具备高动态范围与增益稳定性。
传统方案使用阻容反馈的电荷灵敏放大器作为高纯锗探测器读出的前端电子学，其固有结构受制于反馈电阻的并联白噪声与电荷泄放速率的矛盾关系，导致系统噪声与计数率性能存在理论极限。为突破这一瓶颈，漏极反馈型电荷灵敏放大器与脉冲反馈技术等反馈方案被相继提出。本文将系统阐述高纯锗探测器前端电子学的技术演进路径，重点分析不同反馈结构的噪声特性、计数率特性及系统稳定性表现。