第五届半导体辐射探测器研讨会

面向大面积X射线成像器件应用的碲锌镉柱状晶厚膜低温沉积工艺探索

18 Apr 2025, 10:20

8h

王朝9+10厅前，2F (西安喜来登大酒店)

海报 Poster

Speaker

辉 孙 (成都信息工程大学)

Description

碲锌镉厚膜是实现大面积X射线成像器件的关键核心材料。当前沉积碲锌镉厚膜的主流方法主要是近空间升华法（CSS），已经在ITO玻璃、FTO玻璃等衬底上实现了高质量（111）择优取向多晶厚膜沉积，以及在GaAs、GaSb单晶等衬底上实现了（100）取向单晶厚膜沉积，取得了碲锌镉厚膜沉积的系列进展。通过分析当前研究报道，CSS法沉积碲锌镉厚膜的工艺流程简单，核心控制参数较少，源料温度高于600℃，衬底温度普遍高于400℃。对于大面积X射线成像器件，若能将碲锌镉厚膜直接沉积到TFT玻璃或ASIC芯片上，将极大地简化器件工艺制程，但是挑战在于CSS法沉积的衬底温度过高，还需要进一步优化沉积工艺。为此，我们先后探索了闭管PVT法、PVT-VTE法、HWE法等低温沉积碲锌镉厚膜。我们最新提出的PE-HWE法能够在300℃衬底温度下沉积厚度400-800μm柱状晶碲锌镉厚膜，相对CSS法，衬底温度大为降低，后期可在温度敏感的TFT玻璃上直接沉积。