第五届半导体辐射探测器研讨会

单硅光电倍增管中子探测器研制及测试

18 Apr 2025, 10:20

8h

王朝9+10厅前，2F (西安喜来登大酒店)

海报 Poster

Speaker

Dr 晓波 刘 (中国工程物理研究院核物理与化学研究所)

Description

硅光电倍增管是一种硅基PN结的固态高增益光子快响应器件。采用面积6mm×6mm规格的单硅光电倍增管，耦合边长6mm立方体中子闪烁探测器晶体，研制了探测器外形尺寸为15mm×15mm×30mm的紧凑型中子探测器。在实验室采用Cs-137和Na-22伽马源测试了探测器的脉冲响应输出和积分电荷幅度线性关系；采用Cf-252源测试了探测器的中子伽马脉冲形状分辨因子，在100keVee能量附近的分辨因子品质参数FOM达到了1.20，在200keVee能量以上FOM因子达到了1.60，在120keVee阈值上的本征中子探测效率约为0.1%。此探测器可以应用于反应堆内以及一些狭小空间的快中子辐射场的测量和监测。