Speaker
Dr
星 李
(中国科学院微电子研究所)
Description
硅漂移探测器（SDD）作为一种基于侧向耗尽工作原理的探测器，其能量分辨率与外置偏压条件紧密相关，本质上是外置偏压的改变会影响SDD内部载流子输运特性的变化。然而，传统的SDD最外环偏压不能超过2倍耗尽电压，否则会出现串通现象。为了提高SDD的最大工作偏压，我们设计了一种准双面结构的SDD（QD-SDD），即在传统SDD的背面也设计了漂移环结构，从而有效调节背面的电势分布，避免了正面和背面之间电势差过大而出现串通的问题。对于传统的SDD，当最外环电压过大（超过2倍耗尽电压），不仅会引起串通效应，还会导致电子通道靠近器件表面，容易造成表面复合损失。但对于QD-SDD，即使其最外环电压大于2倍耗尽电压，电子的输运通道仍在探测器的内部，与表面保持着一个安全距离。当QD-SDD最外环电压逐渐增大至-200 V时，器件不仅没有发生串通的问题，而且电子到达阳极的收集时间越来越短，电子收集速率也更快。
