SCEP Weekly meeting @ 2024-06-18

→ Asia/Shanghai
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  1. 对于V3线圈，测试交流电阻比仿真高约3倍。增强仿真网格密度，结果差别不多。
  2. 对于V3.5线圈，测量与仿真偏差10%左右，目前最好。
  3. 额外线圈（亥姆霍兹）同样参数饶制，测量偏差就有50%，高频（20kHz）与仿真偏差2～3倍。
  4. 希望能够得到一个绕制工艺更好，去验证交流电阻模型。
  5. 之前方案一的板子完成后发现接头封装搞错了，现在板子短路，无法使用。
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