Speaker
万, 鑫
(西北工业大学)
Description
采用近空间升华法制备了直径为2英寸、厚度超过1毫米的 CdZnTe (CZT)外延单晶。为了测试大尺寸 CZT 外延单晶的均匀性，对 CZT 晶体中心部分和边缘部分的成分、晶体质量、 X 射线响应性能和载流子输运性能进行了表征。形貌图像表明，不同区域的位错密度分别为3.5 × 104cm-2和4.5 × 104cm-2。晶体质量在中心区域呈现出比边缘区域好的趋势。带隙介于1.56 eV 和1.57 eV 之间，电阻率介于5 × 109Ω cm 和6 × 109Ω cm 之间。用边缘区和中心区制备的探测器对 X 射线的灵敏度分别为276.22 μCGy-1cm-2和283.43 μCGy-1cm-2。通过对 Hecht 方程的拟合，得到边缘和中心部件的载流子寿命积分别为3.932 × 10-4cm2 V-1和4.511 × 10-4cm2 V-1。所制备的探测器对241Am@59.5 KeV γ 射线具有稳定的响应，能量分辨率可达到8.3% ，是 CZT 材料 CSS 生长所获得的最高能量分辨率，在低能探测领域具有极大的应用潜力。
